在全球AI竞赛日趋激烈、算力需求持续爆炸的当下，一块被忽视的氮化镓芯片悄然走上舞台中央。
它没有酷炫的算法，也不是显赫的GPU，却成为支撑顶级AI系统稳定运行的“能源引擎”。
更令人振奋的是，这项改变全球AI产业格局的技术突破，出自一位中国女博士之手。

骆薇薇，这位曾任美国NASA首席科学家的科学家，放弃国外优渥生活，在中国半导体基础几近空白的时期毅然回国，选择攻坚全球最难啃的技术之一——8英寸硅基氮化镓芯片。
正是她带领团队打破欧美垄断，将中国企业推上了全球AI芯片版图的关键位置，甚至成为市值超过5万亿美元的英伟达不可或缺的合作伙伴。
当AI大模型如ChatGPT横空出世，数据中心的功耗问题随之而来。

传统硅基供电芯片在高负荷下能耗巨大、散热困难，导致GPU算力无法稳定释放，严重掣肘AI基础设施的发展。
此时第三代半导体材料氮化镓凭借高频、高压、高温耐受力和低能耗等特性，成为解决这一瓶颈的理想方案。
但将氮化镓从实验室推向规模化商业应用，尤其是实现8英寸硅基工艺量产，并非易事。在2015年，全球仅有少数企业探索6英寸工艺，而8英寸尚属禁区。

骆薇薇看到了突破口，也看到了国产化的战略紧迫性——如果继续依赖进口，中国将长期受制于人，关键时刻仍可能被“卡脖子”。
她选择从零起步，搭建起一支以年轻工程师为主的团队，在几乎无成熟设备、无现成技术路径的环境下，亲自下车间、改造二手机器，调试每一个工艺参数。
采用更为艰难的IDM（设计、制造、封测一体化）模式，她力图掌控全流程、保住技术主动权，无数个日日夜夜的实验和迭代，终于换来了突破性的成果。

2017年，骆薇薇将公司总部迁至苏州，依托长三角完整的产业链配套，仅用不到六年时间，就完成了国际业内认为至少需要十年的技术跨越——实现8英寸硅基氮化镓晶圆的大规模量产。
她的公司“英诺赛科”由此成为中国氮化镓半导体的领军企业。
技术落地的价值很快在全球AI产业中显现,随着英伟达推出800伏直流供电架构，对高效能量转换器件的需求激增，骆薇薇团队研发的氮化镓电源解决方案恰好精准匹配。

在英伟达高端GPU系统中，英诺赛科的芯片成为不可替代的核心组成，2025年8月，英伟达官网更新合作商目录，英诺赛科成为唯一入选的中国芯片企业，这一消息轰动业界。
这项合作带来了显著成效，据业内测算，采用氮化镓芯片后，单个AI服务器年节电量可满足一个家庭两年用电需求。
整体而言，数据中心运行效率提升20%-30%，机柜功率密度翻了数倍，而能耗却显著下降。

微软、谷歌等科技巨头也相继引入这一解决方案，使得中国芯片产品真正站上全球AI产业链核心。
截至2025年7月，英诺赛科芯片出货量已超10亿颗，仅2024年一年就出货6.6亿颗，市值突破700亿港元，成为名副其实的“氮化镓第一股”。
它不仅打破了EPC、英飞凌、纳微等国际巨头的长期垄断，在全球氮化镓功率芯片市场中取得42.4%的份额，也意味着中国企业首次在全球功率半导体领域站上巅峰。

而这项技术的意义，远不止AI。氮化镓芯片如今已广泛用于手机快充、笔记本适配器、新能源汽车激光雷达、车载充电器等高端应用领域。
比亚迪、蔚来、宁德时代等龙头企业纷纷采用其车规级氮化镓芯片，甚至连宁德时代创始人曾毓群也亲自投资2亿元，押注其技术前景。
当然技术领先从不意味着没有挑战，2023年，美国EPC公司发起专利诉讼，试图围堵英诺赛科。

但凭借700余项自主知识产权，骆薇薇团队在国际专利战中成功反制，最终赢得诉讼，成为中国芯片企业在海外维权中的一次重要胜利。
骆薇薇的故事，不仅是一个科研人才投身祖国、逆境创业的缩影，更揭示了未来全球科技博弈的本质：不仅要有核心算力的突破，更要在“底层技术”中掌握话语权。
从电源管理到系统支撑，从材料创新到产业链协同，只有每一个环节都掌控在自己手中，国家的科技安全才能真正落地。

2025年11月，美国商务部对H200芯片对华出口政策重新审视，让全球AI芯片市场格局再次生变。
在大国科技博弈背景下，中国在氮化镓等关键材料上的持续突破，无疑为国内AI产业争取了更大的战略空间。
不仅如此，中国氮化镓技术仍在不断进阶，汉骅半导体等企业也于同月宣布实现8英寸GaN MicroLED及多层堆叠技术的量产，预示着氮化镓将被广泛应用于更丰富的场景，技术红利尚未释放殆尽。

骆薇薇用实际行动证明：不是只有GPU、CPU这些闪耀的明星芯片才决定产业上限，供电这一基础却不可忽视。
正是她带领中国企业在最基础、最冷门的领域，实现了从“追赶”到“卡脖子”的转变。
这不只是一个科技创业故事，更是一场中国制造向中国创造、向全球标准制定者进阶的壮阔旅程。

参考资料：女科学家骆薇薇归国创业，带领英诺赛科开辟氮化镓新时代 中国财富网
英诺赛科赴港IPO：三年亏损近70亿元被起诉专利侵权 董事长骆薇薇为美国籍 中国网