前沿导读
美媒记者针对华为提出的韬定律分析指出,华为找到了一种新方法,能够缩短大陆芯片制造商与世界领先代工厂台积电之间的差距。
我们此前预估,在最尖端领域中国大陆的技术水平跟国际水平的差距大约是5年,甚至是5年以上。而华为现在提出的说法和技术,可以缩小这个差距,并可能在2031年实现等效1.4nm工艺的芯片。
如果国际层面弄清楚华为是怎么做的,那么ASML是第一个受到冲击的企业,将会对ASML销售先进光刻机造成竞争威胁。
换道发展
目前国际芯片产业还是遵循传统的摩尔定律路线,通过不断缩小晶体管尺寸(几何缩微)来提升芯片性能、降低功耗和成本。但是当芯片制程进入到5nm、3nm及以下节点之后,晶体管的密度已经逼近临界点,散热、功耗、制造成本、经济效益等问题直线攀升,行业内正在探寻通过其他技术手段解决问题。
台积电、三星、英特尔等企业选择通过改变晶体管的结构来提升性能,也就是将Fin FET晶体管替换成GAA晶体管。并且英特尔还在改变晶体管结构的基础上,加入了背面供电技术,将电源布线移动至晶圆背面,以释放正面的互联层,优化性能及功耗。
但是这三家企业所推出的芯片制造技术,全部都需要EUV光刻机的支撑。
而美国对于EUV光刻机实施的对华出口管制,让中国企业在先进制程的技术发展道路上出现了难以逾越的硬件壁垒。
在此背景下,华为所提出的韬定律,就是一次针对芯片产业传统路径的根本转变。其核心目标不再是单纯追求晶体管尺寸的缩小,而是系统性地压缩信号在芯片内部乃至整个计算系统中的传播时延,通过提升时间效率来实现等效的性能跃进。
韬定律并不是拿来替代摩尔定律的,而是开辟了一条不重度依赖最先进光刻设备也能持续提升芯片性能的新赛道。
韬定律所衍生的芯片设计技术是逻辑折叠,传统芯片设计都是基于二维平面上进行电路布局,关键路径上的信号需要穿越长距离的互连线,这会导致信息出现延迟。
而逻辑折叠技术则将关键路径上的逻辑门在三维空间进行布局优化,通过垂直互连大幅缩短物理距离,从而显著降低信号传播延迟。这是一种基于芯片设计上面的改变,并不是传统芯片的叠加封装技术。
韬定律以及逻辑折叠技术,其本质上就是中国半导体产业在没有EUV光刻机的前提下,积极探索出来的一条不依赖于先进设备就可以提升芯片性能的发展路线。但是最终将芯片技术落地,还是需要依赖DUV光刻机、刻蚀机、薄膜沉积等传统工业设备进行制造。
竞争威胁
国际层面已经量产的5nm、3nm工艺芯片,几乎都是采用了EUV光刻机,通过传统的晶体管堆叠设计完成制造。
而韬定律的出现,提供了一种可能:在不使用或减少使用最先进EUV光刻机的情况下,通过设计、架构和系统级创新,在落后几代的节点上实现接近甚至是媲美先进制程的性能。
这就不得不提到三星拿ASML EUV光刻机制造的4nm芯片骁龙8 gen 1,虽然该芯片是4nm工艺,大核心是ARM最新的Cortex-X2,拥有3.0GHz的峰值频率,性能强劲。但是实际的体验并不好,甚至可以说市场口碑还不如前几代产品。
而最具讽刺意义的,还是美国半导体机构Semi Analysis拿三星制造的4nm骁龙8 gen 1,对比中国本土晶圆厂制造的7nm麒麟9000S,最终得出来的结论是双方的芯片水平不相上下。骁龙8 gen 1与麒麟9000S的小核心都是ARM公版的A510,哪怕是在一模一样的小核心下,双方的水平也是非常接近。
不知道是应该说三星拿EUV造的4nm芯片太差,还是应该说中国的国产工艺和华为的芯片设计水平太强。
华为在芯片设计上面的水平有目共睹,这是根本无法忽略的事实。而EUV光刻机的出口管制,在一定程度上制约了华为设计水平的技术落地。虽然国产光刻机的研发一直在进步,但是现阶段还无法大规模替换掉ASML的设备。
在这种情况下,韬定律以及逻辑折叠技术的提出,可以为中国半导体产业的突破争取更多时间。
如果华为的韬定律路径能够在中高端芯片市场取得成功,就意味着中国半导体产业可以在一定程度上“以时间换空间”,在不完全依赖攻克EUV尖端技术的前提下,保持产品竞争力。这直接削弱了美国将ASML制造的EUV光刻机,当做卡中国芯片脖子的威慑力。
据中国新闻社账号《东西问》在5月26日发布的报道指出,外媒普遍认为依靠传统制造方法,中国企业不太可能实现1.4nm的制程水平,因为美国封锁了EUV光刻机和其他相关设备的出口,这是入局的关键设备。但是韬定律提出了另一种思路,即便不依赖尖端设备,也可以提升芯片的性能和晶体管密度。
如果未来基于韬定律的芯片可以实现大规模制造,并且沿着华为给出的目标持续发展,那么这意味着该定律技术打破了业界普遍的共识,中国芯片企业走出了自己的一条路。
如今全球半导体的技术路径已经出现了分化:一条是继续由ASML、台积电、三星、英特尔等企业主导的几何缩微传统赛道;另一条则是华为最近提出的韬定律赛道。
这种路径的分化,将直接侵蚀ASML所服务的单一化、线性化的技术演进市场。
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