编辑：XL2026年6月，全球唯一能造出EUV光刻机的荷兰公司ASML，被美国商务部长卢特尼克当面对质。华盛顿怀疑，这台重达180吨、造价高达4亿美元、从未卖给过中国的机器，可能已经通过某种途径流入了中国。美方官员声称掌握“敏感证据”，却以涉及敏感情报源为由拒绝公开，ASML则全力“自证清白”，强调全球314台在用EUV光刻机在中国境内的数量是零。一场围绕全球最尖端芯片制造设备的新争端，正在华盛顿与海牙之间发酵。
一场“有罪推定”式的指控
据知情人士透露，2026年4月，卢特尼克在一场涵盖ASML对美投资承诺等多个议题的会议中，当面向ASML首席执行官傅恪礼等高层表达了对EUV光刻机流入中国的强烈担忧。EUV光刻机是当前全球唯一能够制造7纳米以下尖端半导体电路图案的设备，台积电、三星等巨头均依赖其为苹果、英伟达生产尖端处理器。早在特朗普首个任期，美国就已禁止ASML向中国出口此类设备。有趣的是，这场紧张的闭门会议在公开层面被刻意淡化。事后，卢特尼克与傅恪礼均在社交媒体上以正面措辞形容会面，对EUV争议只字不提，然而私下里，ASML已进入“危机模式”。ASML坚决否认有任何EUV设备进入中国大陆。公司发言人在声明中强调：“ASML从未向中国大陆发运过EUV机器，也从未向中国大陆发运过任何专门设计用于EUV机器的组件、模块或设备。”ASML还列举了多个技术理由反驳美方质疑，第一全球数量透明——目前共有314台EUV光刻机正在运行，另有26台已退役，中国境内数量为零。第二，设备体积如同一辆校车，重约180吨，产量有限。第三，每台EUV光刻机都持续与ASML后台联网，能自动检测中断、异常行为或连接中断。第四，设备需要ASML员工进行持续维护，第五，ASML内部对接触EUV技术的人员实施了严格的“防火墙”制度——能够访问EUV技术、文档和培训资料的员工与无法访问的完全隔离。中国团队在“防火墙”的另一侧，根本接触不到关键技术细节，傅恪礼本人更直言：“你无法逆向工程一台你从未拥有的机器，而中国大陆没人拥有过它。”然而，多名不愿透露姓名的美国政府高级官员向彭博社表示，他们掌握的证据显示，ASML向中国大陆出口了专门用于运输EUV机器的特殊设备以及可用于EUV系统的相关零部件。但当媒体多次要求美方提供出货证据或说明是否掌握EUV系统已在中国境内的实质证据时，官员均以涉及敏感情报源为由拒绝，亦拒绝评论为何至今未对ASML采取惩罚行动。彭博社向美方提问：若真有证据，为何政府不采取更强硬的政策或惩罚措施？美方官员拒绝回答，这种“有罪推定”式的指控让ASML陷入困境——它需要证明一件无法证明的“不存在之事”。
荷兰的立场与ASML的商业现实
荷兰外交部也同步发布官方声明，在半导体制造设备的出口管理层面，荷兰执行明确的规则和相应的管制清单，所有被纳入管制范围的设备，对外出口前都必须申请对应的专项许可证。相关部门补充说明，荷兰方面正在严格执行所有相关管制政策，后续也会在必要环节直接采取干预措施。与此同时，这场争端也暴露了美国盟友间出口管制的差异，美国半导体设备制造商抱怨，荷兰和日本对华限制滞后于美国，使其处于竞争劣势。而ASML预计2026年约20%的营收来自已获许可的对华销售，这使其有强烈的财务动机确保合规。在另一个层面，ASML仍获准向中国出口技术等级较低的干式深紫外光刻机，而技术更为先进的浸没式DUV系统同样在禁运名单上。浸没式系统在最终透镜与硅晶圆之间注入超纯水，利用水的折射率远高于空气的特性有效缩短光波波长，是7纳米以下芯片制造的重要过渡方案。中国正趁现行规则仍允许时加快囤积可购的DUV设备，以应对更严格的监管，美国并未止步于对EUV的质疑。2026年4月，美国众议院提出一项名为《硬件技术管制多边协调法案》（MATCH Act）的新立法草案。该法案的核心变化，是从原先只限制EUV极紫外光刻机，进一步扩大至DUV浸润式深紫外光刻机。作为成熟制程的核心装备，DUV光刻机的禁售意味着中国半导体产业链将面临更为全面的封锁。法案还将中芯国际、长江存储、长鑫存储等企业列为“受管制设施”，禁止向其出口设备及提供维修技术支持。同时推动荷兰、日本等盟友在150天内将本国出口管制措施与美国对齐，一旦该法案落地，ASML约20%的预期营收将受到严重影响。
中国没有坐等——两条路线同时推进
面对美国的持续封锁，中国没有坐等，在自主研发EUV光刻机方面，中国已取得实质性进展，据路透社2025年12月报道，中国科学家已在一个高度机密的设施中研发出EUV光刻机原型机。国产EUV光刻机有望在2026年进入试生产阶段，哈尔滨工业大学研发的“放电等离子体极紫外光刻光源”项目，这正是被称为“光刻机心脏”的极紫外光源技术。中科院团队也成功开发出LPP-EUV光源，技术达到国际领先水平。上海光机所林楠团队研发的固体激光驱动LPP-EUV光源，转换效率达3.42%，成功绕开了ASML的二氧化碳激光专利壁垒。国产EUV光刻机预计良率可达70%，成本仅为进口设备的三分之一，与此同时，华为走出另一条路——在不使用EUV的前提下实现同等芯片性能。2026年初，华为在上海IEEE国际电路与系统研讨会上正式发布了“τ缩放定律”，这一理论的核心，是将衡量芯片进步的主要指标从晶体管尺寸转向时间常数τ，即缩短信号与数据传输所需的时间。华为将时间常数拆分成四个层次：晶体管切换延迟、电路RC传播延迟、芯片运算与内存存取延迟，以及系统端到端的反应时间。与这一理论框架配套的是LogicFolding架构，通过三维垂直堆叠方式缩短信号路径，实现不依赖EUV的等效晶体管密度提升。华为半导体业务部总裁何庭波在会中强调：“我们的解决方案是可行且负担得起的。”她透露，华为过去六年已利用这套新定律设计并量产了381款芯片。华为表示，即将推出的Mate 90系列旗舰手机将搭载基于该架构的麒麟芯片，晶体管密度等效3纳米工艺，无需依赖先进制程即可实现旗舰级体验。华为计划到2031年，基于韬定律的高端芯片晶体管密度将达到等效1.4纳米制程水平，全程无需EUV光刻机。正如褚君浩院士所评价的，掌握自研EUV技术本身就是在给国内半导体产业筑牢根基，再叠加韬定律的全新路径，最终会形成“1+1大于2”的叠加效应。七年管制，中国没有被打垮，美国白宫科技顾问David Sacks近期接受彭博电视专访时承认，中国在AI芯片设计领域与美国的差距已缩小至仅1.5至2年。他还批评美国过去过度严格的出口管制，实际上对美国科技产业造成了反效果，削弱了自身在全球市场的竞争力，形容这种做法如同“搬石头砸自己的脚”。#上头条 聊热点#信息来源：