三星电子今日宣布（3月25日），开发了业内首款容量达到512GB的DDR5内存模组。
据悉，该内存采用了High-K Metal Gate（HKMG）的DDR5内存颗粒，以降低漏电率。新的DIMM是为下一代使用DDR5内存的
服务器设计的，包括使用AMD代号Genoa的Epyc系列处理器和英特尔代号Sapphire Rapids的Xeon系列处理器的服务器。
三星利用TSV硅穿孔技术实现8层堆叠，以确保低功耗和高质量的信号传输，单颗DRAM芯片容量为16Gb， 512GB的DDR5内存模组总共需要32颗。新的DDR5内存的性能比DDR4内存提高了一倍，最高可达7200Mbps的传输速率，也就是7200MHz频率，可以满足超算、AI和机器学习等领域的计算要求。
事实上，这不是三星第一次使用HKMG工艺，早在2018年就该工艺开始应用在GDDR6显存上。三星表示，通过扩大HKMG工艺的应用，三星进一步巩固了其在下一代DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）技术中的领导地位。
三星电子DRAM部门副总裁Young-Soo Sohn表示：“三星是目前唯一一家能够使用HKMG制造内存芯片的半导体厂商。通过将这种创新工艺引入到DRAM制造，我们可以为客户
提供高性能、高能效的内存解决方案，为医学研究、金融市场、自动驾驶、智慧城市以及其他领域所需的应用提供动力。”
三星预计将在今年下半年开始向DDR5的过渡。三星表示，除了与两家主要的
CPU供应商Intel和Advanced Micro Devices Inc.合作之外，三星还向数据中心平台的开发者发送了新内存样品。
此外在近日三星电子近日还宣布了其新一代DDR5储存芯片计划。据悉，三星新一代存储芯片速度将是上一代两倍，且容量提高了20%、功耗下降了13%，将于下半年量产。
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