[硬盘]SSD步入25nm工艺！固态硬盘上市消息

　　今年，固态硬盘已经全面开始向25nm转变，新工艺可以令固态硬盘成本降低，但是写入寿命会受到影响。25nm的NAND闪存写入寿命为3000次，而34nm则有5000次，因此，新产品的寿命会受到影响。为了弥补这方面的不足，采用25nm工艺的固态硬盘将预留更多空间以备以达到延长使用寿命的目的，现在OCZ以及海盗船已经生产25nm产品，其它品牌也在开始转变中。
　　早期就有消息称，英特尔510系列固态硬盘“Elm Crest”将会在3月1日正式发布，终于在次日，这款系列产品如期推出，该盘大小规格为2.5英寸，采用SATA 6Gbps接口，搭载34nm制程MLC NAND闪存芯片，支持TRIM，平均故障间隔时间（MTBF）为120万小时，4KB随机读取和写入IOPS分别为20000和8000。
　　
　　
　　
　　英特尔510系列固态硬盘具备120B和250GB两款容量，其中120GB版的读取和写入分别为450MB/s和210 MB/s；250GB版的读取和写入达到500MB/s和315 MB/s。这两款固态硬盘均提供三年质保，现已出货，售价分别为284美元和584美元，折合人民币约1866元和3837元。
　　

　　
　　海盗船Force固态硬盘更新25纳米制程
　　全球最著名的高端PC硬件设计制造者海盗船近日正式宣布了其固态硬盘中闪存颗粒制造工艺由34纳米向25纳米的转换。
　　新工艺的转换回给市场带来一些混乱，不管是价格还是性能上。25nm制程的闪存具有更低的成本，但是其寿命不如老产品，为了弥补这一不足，厂商通常会在产品中预留更多空间。
　　
　　
　　海盗船表示，他们的开发设计人员进行了大量严格测试，可以确保新产品的可靠性。官方测试结果显示，新产品的性能在使用ATTO测试会下降3%到4%，而另一个测试小组表示性能没有任何损失。不管怎样，新产品的性能并不会有大的下降。
　　海盗船25nm工艺产品为采用SandForce主控的Force系列，首批型号包括F80A和F115。与原有同容量但是采用34nm工艺的产品在命名上清楚的体现出了差别。其中F80A价格为169美元，F115为215美元。相比之下，F80和F120的价格为199美元和249美元。产品提供三年质保。■
　　

　　
　　二合一产品 RunCore新概念固态硬盘
　　日前，RunCore推出了一款特别的二合一产品，看上去是ExpressCard接口的USB接口扩展器，而实际上其还内置了容量为64GB的固态硬盘。
　　
　　这款二合一的产品名为Pro IV USB 3.0 ExpressCard SSD，采用ExpressCard/34接口，内置容量为64GB固态硬盘，读取/写入速度分别为110MB/s和80MB/s，还能提供两个USB 3.0扩展接口。
　　当然除了作为固态硬盘和USB 3.0接口扩展器，它也能够直接作为USB 3.0移动硬盘使用，只需将配套的接线接上USB 3.0接口，再连接至PC即可。
　　

　　
　　Silicon Power发布SandForce固态硬盘
　　Silicon Power近期发布了他们目前为止最快的固态硬盘产品，2.5寸的V20系列。使用MLC闪存，并配备了SandForce SF-1xxx型号控制器。持续读写速度达到285MB/S、275MB/S。
　　
　　这款新品固态硬盘采用SATA 3.0 Gbps接口，拥有TRIm技术和ECC技术，硬盘内部采用了防震设计，提供3年质保，产品附送3.5寸支架。
　　V20系列包括40GB、60GB、120GB和240GB四种不同容量，价格未公布。应该与其他采用SF主控的产品相差不多。
　　

　　
　　高速读取 浦科特发布二代M2S系列SSD
　　上个月浦科特（PLEXTOR）发布了最快的采用SATA 6Gbps接口的第二代M2S系列SSD，本月将在英国上市。浦科特旗下的存储产品以高性能和优良品质著称，在业界有着很好的声誉。
　　
　　浦科特M2S系列SSD体积为2.5英寸，它具有64GB、128GB和256GB三种容量版本，数据读取速度分别为370MB/s、420MB/s和480MB/s；数据写入速度分别为110MB/s、210MB/s和330MB/s。
　　M2S系列SSD硬盘采用目前传输速度最快的SATA 6Gbps接口，搭载Marvell 88SS9174主控芯片和蒲科特专利瞬间恢复技术，以提高数据传输速度；其动态磨损找平系统可提高数据分配寿命。硬盘加入最新的windows7 TRIM命令，用于提高数据擦除效率；此外，它还捆绑了Acronis True IMAGe系列，便于数据的迁移。
　　

　　
　　率先步入25nm工艺 OCZ升级固态硬盘
　　日前，OCZ公司宣布旗下所有SSD固态硬盘产品都将采用25nm级别工艺的NAND闪存芯片，以进一步降低产品成本。根据OCZ方面的表示，他们在不断开发性能更好的固态硬盘产品的同时，亦在努力降低现有产品的成本，而25nm级别NAND闪存芯片的将采用将有效控制固态硬盘的成本，为玩家带来性价比更高的产品。
　　
　　只是在带来更低成本的同时，25nm级别NAND闪存芯片还表现出了让人稍不满意的地方，主要体现在写入速度和写入寿命上。有消息称，25nm级别的产品在写入速度上会略慢于34nm级别的，而且在写入次数方面亦较34nm的要少，不过这些问题都将随着技术的成熟而解决。